Transistor 2MBI100HB120-50 module de puissance IGBT 1200V pour onduleur triphasé

Transistor 2MBI100HB120-50 module de puissance IGBT 1200V pour onduleur triphasé

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Description de Transistor 2MBI100HB120-50 module de puissance IGBT 1200V pour onduleur triphasé

Optimisation de la conversion d'énergie pour réseaux triphasés

Le pilotage des flux électriques requiert des composants d'une fiabilité absolue. Ce module semi-conducteur de puissance répond aux architectures de filtrage et de redressement les plus complexes du marché de l'énergie.

Intégration simplifiée et compatibilité universelle

Grâce à son brochage standardisé, ce modèle remplace efficacement les anciennes générations de commutateurs sans nécessiter une refonte complète de vos cartes de contrôle. L'alignement des terminaux facilite le câblage et limite les erreurs lors de l'assemblage en atelier.

  • Compatibilité ascendante : S'adapte aux topologies de circuits existantes pour une maintenance simplifiée.
  • Résistance aux cycles thermiques : Supporte les variations brusques de charge sans dégradation structurelle.
  • Isolation par résine époxy : Protection accrue contre l'humidité ambiante et les poussières industrielles.

Données nominales et géométrie du module

Caractéristique électriqueDonnée constructeur
Code d'identification2MBI100HB120-50
Type de semi-conducteurIGBT avec diode de commutation rapide
Tension d'isolation AC2500 V (pendant 1 minute)
Courant de collecteur continu100 A
Poids approximatif180 g
Un composant de choix pour sécuriser les alimentations sans interruption (ASI) et les serveurs critiques.

Détails

OPC s7_CB0H6RQB1LW
Référence produit s7_CB0H6RQB1LW
Marque
Marque générique
Prix 19,99 €
Prix habituel 105,97 €
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Note 4.5 / 5.0
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Avis sur Transistor 2MBI100HB120-50 module de puissance IGBT 1200V pour onduleur triphasé

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5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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